МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ НАПРЯЖЁННЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ Si, Ge, Sn
А.С. Дерябин, А.Е. Долбак, М.Ю. Есин, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, В.А. Тимофеев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
das@isp.nsc.ru
Ключевые слова: гетероструктуры, Si, Ge, Sn, молекулярно-лучевая эпитаксия, диффузия, дислокации, heterostructures, Si, Ge, molecular beam epitaxy, diffusion, dislocations
Страницы: 27-35
Аннотация
Представлены результаты исследования процесса формирования напряжённых наногетероструктур на основе соединений материалов группы IV (Ge, Si, Sn). Установлены механизмы диффузии атомов серебра, олова и свинца по поверхности, и получены температурные зависимости коэффициентов диффузии атомов этих элементов. Показано, что диффузия атомов серебра, олова и свинца происходит по механизму твёрдофазного растекания с формированием поверхностных фаз. Приведены экспериментальные данные, которые свидетельствуют о преобладающей роли краевых дислокаций и дислокационных комплексов краевого типа в релаксации гетероструктуры Ge/Ge0,5Si0,5/Si(001). Обогащённые оловом островки с пьедесталом Si на подложке Si(001) были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Первоначально на поверхность Si наносилась плёнка Sn. В процессе последующего отжига формировался массив островков Sn, которые использовались в качестве катализаторов для роста нанообъектов. Обогащённые оловом островки с пьедесталом Si формируются после осаждения кремния при температурах 300-450 ◦C на поверхность с островками Sn. Рост островков с пьедесталом происходил по механизму пар - жидкость - кристалл. Обнаружена интенсивная фотолюминесценция от обогащённых оловом островков с пьедесталами Si в диапазоне длин волн 1,3-1,7 мкм.
DOI: 10.15372/AUT20200503 |
