Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 52.15.136.223
    [SESS_TIME] => 1732356130
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 70944272369d24d6a0bab3e8d6dd8e01
    [UNIQUE_KEY] => 9038a49e19fd64edf8b3599b44f6f364
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2020 год, номер 5

КИНЕТИКА ТРАВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) МОЛЕКУЛЯРНЫМ ПУЧКОМ СЕЛЕНА

С.А. Пономарев1,2, Д.И. Рогило1, А.С. Петров1, Д.В. Щеглов1, А.В. Латышев1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
sergei_pon971610@mail.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: кремний, селен, травление, сублимация, поверхность, отражательная электронная микроскопия, silicon, selenium, etching, sublimation, surface, reflection electron microscopy
Страницы: 4-11

Аннотация

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии выделено три режима кинетики травления поверхности Si(111) молекулярным пучком селена. В области низких температур (≲650°C в зависимости от скорости осаждения Se) кинетика травления лимитирована энергией формирования и десорбции молекул SiSe2 и поверхность полностью покрыта примесно-индуцированной фазой селенида кремния «1×1»-Se. В интервале температур ~700-1100 °C скорость травления ограничивается величиной осаждаемого потока Se и не зависит от температуры, структуры поверхности и механизма травления (ступенчато-слоевой или двумерно-островковый). При высоких температурах (≳1150 °C) наибольший вклад в поток кремния с поверхности начинает вносить сублимация атомов Si. Построена теоретическая модель, описывающая температуру и кинетику переходов между режимами травления.

DOI: 10.15372/AUT20200501
Скачать pdf-версию статьи