Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Журнал "Прикладная механика и техническая физика"

2014 год, номер 3

ИССЛЕДОВАНИЕ ТИПОВ ХИМИЧЕСКИХ СВЯЗЕЙ В ПЛЕНКАХ, ПОЛУЧЕННЫХ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ РАЗЛОЖЕНИЕМ ПАРОВ БИС(ТРИМЕТИЛСИЛИЛ)ЭТИЛАМИНА

Е.Н. Ермакова1, В.Г. Кеслер2, Ю.М. Румянцев1, М.Л. Косинова1
1Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, 630090 Новосибирск, пр. Акад. Лаврентьева, 3
ermakova@niic.nsc.ru
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, пр. Акад. Лаврентьева, 13
Ключевые слова: карбонитрид кремния, тонкие пленки, PE CVD, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, ИК спектроскопия
Страницы: 486-492
Подраздел: ИССЛЕДОВАНИЕ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ ФИЗИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ

Аннотация

Пленки карбонитрида кремния SiCx Ny синтезированы методом плазмохимического осаждения из газовой фазы смесей бис(триметилсилил)этиламина и гелия или аммиака. Методами РФЭС и ИК спектроскопии изучена структура химических связей в пленках. Получены данные об основных типах связей, присутствующих в пленках карбонитрида кремния, осажденных при различных условиях синтеза. Показано, что использование аммиака позволяет при низкой температуре синтезировать пленки с одновременным образованием связей Si-C, Si-N и C-N, в то время как основными связями в пленках, полученных из смеси бис(триметилсилил)этиламина и гелия, являются Si-C и Si-N. Химическая структура пленок, полученных при высоких температурах синтеза, близка к SiCx независимо от типа используемого дополнительного газа.