Главная – Журналы – Биологическое действие низкоинтенсивного лазерного излучения: пути регуляции растительного метаболизма. Ч. 2 2012 номер ...

Проведено исследование электронного строения ряда фенилсиланов Ph_4-nSiH_n (n = 0-3) методами рентгеновской эмиссионной спектроскопии и квантово-химических расчетов в приближении теории функционала плотности. На основе расчетов построены теоретические рентгеновские эмиссионные SiKβ₁-спектры фенилсиланов Ph_4-nSiH_n (n = 0-4), энергетическая структура и форма которых оказались в хорошем согласии с экспериментом. Также построены распределения плотностей электронных состояний различной симметрии атомов Si, C, H. Анализ полученных рентгеновских флуоресцентных SiKβ₁-спектров и распределения плотностей электронных состояний в соединениях Ph₄Si и Ph₃SiH показал, что их энергетическая структура в основном определяется системой энергетических уровней фенильных лигандов, слабо возмущенных взаимодействиями с валентными АО кремния. В энергетической структуре МО соединения PhSiH₃ преимущественным образом представлены орбитали энергетически связанные с t₂- и a₁-уровнями тетраэдрического SiH₄.