Главная – Журналы – Автометрия 2007 номер 4

Представлены результаты измерений вольт-амперных характеристик диодов с управляющим электродом. Диоды изготовлены на основе варизонных слоев Cd_0,22Hg_0,78Te (КРТ), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на полуизолирующей подложке GaAs и предназначенных для приемников ИК-излучения с граничной длиной волны l_c = 10 мкм. Показано, что поверхностные токи вносят существенный вклад в обратные токи фотодиодов на основе МЛЭ КРТ при обогащении и инверсии. Получена критическая величина плотности встроенного заряда, при которой уровень поверхностных утечек не превышает 20 % от объемного тока.