Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2007 год, номер 4

ОСОБЕННОСТИ АДМИТТАНСА МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СЛОЕВ КРТ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

А. В. Ярцев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
E-mail: jartsev@ngs.ru
Страницы: 83-88

Аннотация

Исследован адмиттанс структур металл- диэлектрик- полупроводник на основе слоев Hg1–xCdxTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из полуизолирующего GaAs. Обнаружен эффект аномальной генерации на поверхности Hg1–xCdxTe в сильном электрическом поле (≈105 В/см). Показано, что плотность поверхностных состояний границы раздела МЛЭ КРТ–SiO2 слабо зависит от наличия варизонного слоя и типа проводимости полупроводника.
Скачать pdf-версию статьи



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять