Главная – Журналы – Автометрия 2005 номер 1

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 2880
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [PASSWORD_CHECK_WEAK] => N
                    [PASSWORD_CHECK_POLICY] => N
                    [PASSWORD_CHANGE_DAYS] => 0
                    [PASSWORD_UNIQUE_COUNT] => 0
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_TIME] => 0
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.135.240.57
    [SESS_TIME] => 1745271210
    [IS_EXPIRED] => 
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [SESS_SHOW_INCLUDE_TIME_EXEC] => 
    [fixed_session_id] => 261e21d5fd145b62ba878eee959595e7
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2005 год, номер 1

КИНЕТИКА НАЧАЛЬНЫХ СТАДИЙ РОСТА ПЛЕНОК ZnTe НА Si(013) Д. Н. Придачин, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. А. Швец (Новосибирск) Страницы: 104-114 Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ Аннотация Методами эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и электронной оже-спектроскопии исследовались начальные стадии формирования эпитаксиальных пленок ZnTe на подложках Si(013): As. Показано, что кинетика роста пленки ZnTe описывается моделью зарождения и роста центров кристаллизации. Температурная зависимость скорости зарождения J хорошо аппроксимируется прямой линией в координатах ln(J), 1/(T)2T, что указывает на лимитирующую роль образования зародышей критического размера. Рассчитано значение увеличения поверхностной энергии при зарождении ZnTe, равное 40 эрг/см2. Оценочный расчет значения поверхностной энергии чистого ZnTe(001) дает 490 эрг/см2. Разница между двумя значениями энергии может быть обусловлена адсорбцией компонентов осаждаемого материала, снижающей избыточную энергию процесса увеличения поверхности. Скачать pdf-версию статьи