Главная – Журналы – Автометрия 2004 номер 4

Предложен упрощенный метод оценки распределения потенциала в тонких варизонных слоях фоточувствительного полупроводника. В приближении линейной варизонности рассмотрено формирование областей пространственного заряда в пленке полупроводника с варизонным слоем в ее средней части, а также с варизонными слоями вблизи внешних поверхностей, которые используются для управления характеристиками планарных фотодиодов и подавления поверхностной рекомбинации в матричных приемниках ИК-излучения на основе эпитаксиальных слоев теллурида кадмия–ртути.