Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2004 год, номер 2

РАЗВИТИЕ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ УСТРОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Ю. Г. Сидоров, А. И. Торопов, В. В. Шашкин, В. Н. Овсюк, В. А. Гайслер, А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, В. А. Ткаченко, З. Д. Квон, А. В. Двуреченский, О. П. Пчеляков, В. Я. Принц, В. П. Попов, А. Л. Асеев
(Новосибирск)
Страницы: 4–19
Подраздел: НАНОТЕХНОЛОГИИ, НАНОМЕТРИЯ

Аннотация

Представлен краткий обзор результатов развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и технологии создания структур кремний–на–изоляторе применительно к разработке нового поколения фотоприемных устройств ИК- диапазона, лазеров с вертикальным резонатором, транзисторов и фотоприемников на квантовых точках, квантовых электронных интерферометров и нанотранзисторов. Показаны результаты использования метода самосборки напряженных эпитаксиальных гетероструктур и зондовой нанолитографии для получения нанообъектов. Приведены данные о структуре нанообъектов, полученные методами просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и сканирующей туннельной микроскопии атомного разрешения. Проведен анализ возможностей нанотехнологий для решения основных задач современной полупроводниковой электроники.