Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.141.29.145
    [SESS_TIME] => 1715193887
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 67def369d935848e64cab0b6942a5ea4
    [UNIQUE_KEY] => dbfdb656f8c5b5b78f4d9bdf43e95a34
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2023 год, номер 5

ОПТИМИЗАЦИЯ ТОЛЩИНЫ ОДНОСЛОЙНОГО ПРОСВЕТЛЯЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ ИЗ SiO2 НА КРЕМНИЕВОМ ФОТОДИОДЕ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ХАРАКТЕРИСТИК ПАДАЮЩЕГО СВЕТА

А.В. Тимофеев1, А.И. Мильштейн1,2, Д.Н. Григорьев1,2,3
1Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, Новосибирск, Россия
a.v.timofeev@inp.nsk.su
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
a.i.milstein@inp.nsk.su
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
d.n.grigoriev@inp.nsk.su
Ключевые слова: просветляющее покрытие, фотодиод, коэффициент отражения
Страницы: 91-99

Аннотация

Проведены теоретические исследования зависимости оптимальной толщины однослойного просветляющего слоя SiO2 на кремниевом фотодиоде от характеристик падающего на фотодиод света. Показано, что оптимальная толщина однослойного просветляющего SiO2 для различных распределений интенсивности по углу увеличивает квантовую эффективность фотодиода до 1,1 раза по сравнению с классическим однослойным просветляющим покрытием толщиной λ/4n, которое является оптимальным при нормальном падении монохроматического света.

DOI: 10.15372/AUT20230509
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину