Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.15.221.67
    [SESS_TIME] => 1713889165
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 74f3b16eded9ee897f7503638cc11d0a
    [UNIQUE_KEY] => b9d2c3cec14602943f676c27db0cb6d8
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2023 год, номер 1

НЕПРЕРЫВНЫЕ ВИСМУТОВЫЕ ВОЛОКОННЫЕ ЛАЗЕРЫ С МНОГОМОДОВОЙ ДИОДНОЙ НАКАЧКОЙ

А.С. Вахрушев1, С.В. Алышев1, А.М. Хегай1, Е.Г. Фирстова1, А.В. Харахордин1, К.Е. Рюмкин1, М.А. Мелькумов1, А.А. Умников2, Ф.В. Афанасьев2, А.Н. Гурьянов2, С.В. Фирстов1
1Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Научный центр волоконной оптики им. Е. М. Дианова, г. Москва, Россия
as.vahrush@yandex.ru
2Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г. Девятых РАН, г. Нижний Новгород, Россия
umnikov@ihps-nnov.ru
Ключевые слова: висмут, люминесценция, световод, лазер
Страницы: 5-14

Аннотация

Представлены результаты в области создания непрерывных висмутовых лазеров в интервале длин волн 1,3-1,5 мкм с диодной накачкой (с помощью многомодовых полупроводниковых лазерных диодов). Рассматривается концепция разработки таких устройств на примере лазерной схемы. Обсуждаются вопросы, касающиеся особенностей работы висмутовых лазеров с накачкой в оболочку, их основных параметров (эффективности, мощности генерации, стабильности). Также рассматриваются возможности оптимизации параметров таких устройств путём изменения геометрии внутренней оболочки и использования двухволновой накачки.

DOI: 10.15372/AUT20230101
EDN: ZBQNUO
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину