Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.231.230.177
    [SESS_TIME] => 1628072871
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 163322d5f3e03f14bb684456b554f6f8
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 5379591aa0ad9d900eff2237c6f23562
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Оптика атмосферы и океана

2018 год, номер 3

Широкополосная спонтанная и стимулированная люминесценция сильнолегированных AlxGa1-xN структур

П.А. БОХАН1, К.С. ЖУРАВЛЕВ1, Д.Э. ЗАКРЕВСКИЙ2,3, Т.В. МАЛИН1, И.В. ОСИННЫХ1, Н.В. ФАТЕЕВ1,4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 13
bokhan@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный технический университет, 630090, г. Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 13
zakrdm@isp.nsc.ru
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630073, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20
4Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
fateev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: структуры, люминесценция, усиление, structures, luminescence, amplification
Страницы: 172-176

Аннотация

Исследованы спектральные характеристики спонтанной и стимулированной люминесценции AlxGa1-xN структур, сильнолегированных кремнием с концентрацией n Si > 1020 см-3, при оптической импульсной накачке излучением с λ = 266 нм. Полученное доминирующее широкополосное излучение с шириной ≈ 300 нм охватывает весь видимый диапазон. Спектр излучения от торца структуры расщеплен на узкие компоненты, определяемые модовой структурой образованного плоского волновода. Результаты указывают на стимулированный характер излучения. Измеренные значения коэффициентов усиления для различных структур находятся в диапазоне 20-70 см-1. Полученные результаты указывают на возможность создания нового класса лазеров, перестраиваемых в широком диапазоне длин волн.

DOI: 10.15372/AOO20180302
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину