Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.238.132.225
    [SESS_TIME] => 1632740618
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => e678aad1872b6dfdf30b96385c09984a
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 8207fd224c27e4a21e1ac664a8778305
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Геология и геофизика

2017 год, номер 8

НОВЫЕ ДАННЫЕ О БЕТЕХТИНИТЕ: УТОЧНЕНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ И ХИМИЧЕСКОЙ ФОРМУЛЫ

С.В. Кривовичев1, В.Н. Яковенчук2
1Институт наук о Земле, Санкт-Петербургский государственный университет, 199034, Санкт-Петербург, Университетская наб., 7/9, Россия
s.krivovichev@spbu.ru
2Центр наноматериаловедения, КНЦ РАН, 184200, Апатиты, Мурманская область, ул. Ферсмана, 14, Россия
Ключевые слова: Бетехтинит, кристаллическая структура, сульфид, медь, Джезказган, Казахстан, Betekhtinite, crystal structure, sulfide, copper, Dzhezkazgan, Kazakhstan
Страницы: 1200-1207
Подраздел: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МИНЕРАЛОГИЯ

Аннотация

Кристаллическая структура бетехтинита из Джезказганского рудного месторождения (Казахстан) уточнена до R 1 = 0.047 по 1321 независимым рефлексам. Минерал принадлежит к ромбической сингонии, пространственная группа Immm , a = 3.9047(6), b = 14.796 (2), c = 22.731(3) Å, V = 1313.3 (3) Å3. В сравнении с предыдущими структурными исследованиями уточнение структуры позволило выявить пять дополнительных частично заселенных позиций Cu. Всего кристаллическая структура содержит одну позицию Pb и тринадцать позиций Cu. Атом Pb находится в семерной координации. Координационные геометрии меди различны: позиции Cu1, Cu2, Cu3 Cu6, Cu7, Cu8 и Cu9 имеют тетраэдрическую координацию, тогда как позиции Cu4, Cu5, Cu10, Cu11 и Cu13 окружены тремя атомами серы. Позиция Cu12 координирована двумя атомами S с образованием гантельной конфигурации CuS2. Кристаллическая структура бетехтинита состоит из сложных Pb-Cu-сульфидных стержней, вытянутых параллельно оси a . Стержни имеют ромбическое сечение с размерами вдоль диагоналей 11·16 Å2. Ядро стержней составляют колонки из тетраэдров CuS4, которые можно рассматривать как модули, вырезанные из структуры флюорита CaF2. Колонки инкрустированы треугольниками Cu4S3 и Cu5S3, а также атомамиPb, что приводит к образованию стержней состава [Pb2Cu16S15], связанных вдоль оси b через атомы S6. Слабозаселенные позиции меди находятся в пространстве между стержнями. Кристаллохимическая формула изученного образца бетехтинита может быть представлена как Pb2Cu22.18Fe1.04S15, что находится в полном согласии с химическими анализами минерала и расходится с предложенной ранее формулой Pb2(Cu, Fe)21S15. Общая кристаллохимическая формула минерала может быть записана как Pb2(Cu, Fe)22-24S15. Параметры информационной сложности кристаллической структуры бетехтинита равны следующим величинам: IG = 3.696 бит/ат. и IG,total = 144.131 бит/яч. Распад бетехтинита при температурах выше 150 °C, приводящий к образованию смеси галенита (PbS, IG = 1.000 бит/ат.; IG,total = 2.000 бит/яч.) и халькозина (Cu2S, IG = 1.500 бит/ат.; IG,total = 12.000 бит/яч.), сопровождается понижением структурной сложности и повышением конфигурационной энтропии системы.

DOI: 10.15372/GiG20170807