Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.138.134.107
    [SESS_TIME] => 1713856478
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 12ba3dd5a95deb9824a17b78d9288d8f
    [UNIQUE_KEY] => 7fd5194e8d1a74a8b7a0a41daa9df239
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2017 год, номер 6

ВЛИЯНИЕ СОСТАВА ОКСИДА ГРАФИТА НА СТРУКТУРУ ПРОДУКТОВ ЕГО ОБРАБОТКИ В CЕРНОЙ КИСЛОТЕ ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ

С.Г. Столярова1, Е.С. Кобелева1,2, И.П. Асанов1,2, А.В. Окотруб1,2, Л.Г. Булушева1,2
1Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
stolyarova@niic.nsc.ru
2Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: оксид графита, нагревание в серной кислоте, графен, дефекты, РФЭС, NEXAFS, graphite oxide, heating in sulfuric acid, graphene, defects, XPS
Страницы: 1228-1234

Аннотация

Проведено исследование электронной структуры и функционального состава продуктов взаимодействия оксида графита (ОГ) с концентрированной серной кислотой (H2SO4) в зависимости от содержания кислорода в исходном соединении и температуры обработки. С использованием методов рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), измерения ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения (NEXAFS) СK -края и инфракрасной (ИК) спектроскопии показано восстановление p-электронной системы графеновых плоскостей при температуре 200 °С. Агрегирование кислородных групп в ОГ, содержащем более 40 % кислорода, является причиной образования в плоскостях вакансионных дефектов с кислородными группами на краях. При увеличении температуры обработки ОГ до 280 °С происходит окисление π-областей базальной плоскости. Полученные результаты могут являться основой для контроля функционального состава, количества и размера вакансий в графитовых материалах.

DOI: 10.15372/JSC20170616