МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР AIIIBV С ПОМОЩЬЮ КАПЕЛЬНОЙ ЭПИТАКСИИ
М.А. Василенко1,2, А.Г. Настовьяк1, И.Г. Неизвестный1,2, Н.Л. Шварц1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
vasilenkonsk1992@gmail.com
2Новосибирский государственный технический университет, 630073, г. Новосибирск, просп. К. Маркса, 20
neizv@isp.nsc.ru
Ключевые слова: капельная эпитаксия, нанокольца, GaAs, моделирование Монте-Карло, droplet epitaxy, nanorings, GaAs, Monte Carlo simulation
Страницы: 111-121
Подраздел: НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ
Аннотация
Предложена решёточная модель Монте-Карло формирования полупроводниковых наноструктур по механизму роста пар - жидкость - кристалл. С её использованием промоделирован рост наноструктур GaAs методом капельной эпитаксии в диапазоне температур 500-600 K при потоках As2 с интенсивностью 0,005-0,04 МС/с. Продемонстрирована зависимость морфологии формируемых структур от параметров роста. Проведены исследования травления подложки GaAs галлиевой каплей. Определены диапазоны температур и потоков мышьяка для формирования наноколец GaAs. Проанализированы условия образования одинарных и двойных концентрических колец.
DOI: 10.15372/AUT20160513 |
