ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ ЭПР ГЕРМАНИЙ-ВАКАНСИОННОГО ДЕФЕКТА В АЛМАЗЕ
В.А. Надолинный1, А.Ю. Комаровских1,2, Ю.Н. Пальянов2,3, И.Н. Куприянов2,3, Ю.М. Борздов2,3, М.И. Рахманова1,2, О.П. Юрьева1, С.Л. Вебер3,4
1Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, ва СО РАН
spectr@niic.nsc.ru
2Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, 630090 Россия, Новосибирск, проспект Академика Коптюга, 3
3Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, 630090 Россия, Новосибирск, ул. Пирогова, 2
4Институт "Международный томографический центр" СО РАН, 630090 Россия, Новосибирск, ул. Институтская, 3а
Ключевые слова: алмаз, электронный парамагнитный резонанс, люминесценция, дефект, германий, diamond, EPR, luminescence, defect, germanium
Страницы: 1092-1094
Аннотация
Методами ЭПР и люминесценции исследованы алмазы, синтезированные в системе Mg0,9-Ge0,1-C при высоких давлениях и температурах (high pressure high temperatu- re - HPHT). В спектрах электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) образцов, легированных Ge, наряду с примесным азотом (Р1 центр) и кремний-вакансионным дефектом SiV0 (KUL1 центр) регистрируется новый парамагнитный центр GeV со спином S = 1 и симметрией D 3 d . Проведенные исследования показали, что данный центр имеет структуру двойной полувакансии, в центре которой находится атом германия. Наблюдаемый центр GeV находится в нейтральном зарядовом состоянии и отвечает за систему 602 нм в спектрах фотолюминесценции (ФЛ).
DOI: 10.15372/JSC20160528 |
