Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.204.42.98
    [SESS_TIME] => 1610762766
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 743f49360241c670df63d21071998d56
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 3a52faed0c84c727c3d81d757a16b430
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

МЕХАНИЗМ ПЕРЕНОСА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ДИЭЛЕКТРИКАХ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ И ОСНОВАННЫХ НА НИХ ЭЛЕМЕНТАХ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ

Д.Р. Исламов1,2, В.А. Гриценко1,2, Ч.Х. Ченг3, А. Чин4
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, Россия, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
damir@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, Россия, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
grits@isp.nsc.ru
3National Taiwan Normal University, Taipei, 106, Taiwan ROC
feldcheng@hotmail.com
4National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan ROC
albert_achin@hotmail.com
Ключевые слова: аморфные плёнки, диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, оксид гафния
Страницы: 115-120
Подраздел: МНОГОСЛОЙНЫЕ ГЕТЕРОФАЗНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Аннотация

Проанализированы вольт–амперные характеристики тонких диэлектрических плёнок HfOx в структурах p-Si/HfOx /Ni. Экспериментальные результаты сравнивались с различными теоретическими моделями: моделью ионизации ловушек Пула — Френкеля, многофононной моделью ионизации ловушек и эффектом Шоттки на границе раздела Ni/HfOx . Показано, что несмотря на хорошее качественное описание экспериментальных результатов всеми моделями, количественно данные описываются только многофононной моделью ионизации ловушек.