ФАЗОВОЕ РАССЛОЕНИЕ КАК ОСНОВА ФОРМИРОВАНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ПЛЁНКАХ SiOx ПРИ ОБЛУЧЕНИИ БЫСТРЫМИ ТЯЖЁЛЫМИ ИОНАМИ
С.Г. Черкова1,2, Г.А. Качурин1, В.А. Володин1,2, А.Г. Черков1,2, Д.В. Марин1,2, В.А. Скуратов3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
cherkova@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
volodin@isp.nsc.ru
3Объединённый институт ядерных исследований РАН, 141980, г. Дубна, Московская обл., ул. Жолио-Кюри, 6
skuratov@jinr.ru
Ключевые слова: нанокластеры Si, тяжёлые ионы высоких энергий, фотолюминесценция
Страницы: 93-100
Подраздел: МНОГОСЛОЙНЫЕ ГЕТЕРОФАЗНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Аннотация
Исследовано действие быстрых тяжёлых ионов Хе с энергией 130-167 МэВ дозами 1012–1014 см-2 и Bi с энергией 700 МэВ дозами 3 · 1012–3 · 1013 см-2 на плёнки стехиометрического термического диоксида кремния, плёнки диоксида кремния с ионно-имплантированным избыточным кремнием и на плёнки SiOx с вариацией стехиометрического параметра x от 0 до 2. По данным электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света облучение быстрыми тяжёлыми ионами приводило к формированию нанокластеров кремния. Спектр люминесценции зависел от размеров, числа и структуры образующихся нанокластеров Si. Их размерами можно управлять, варьируя как параметры воздействий (прежде всего, потери энергии ионов в треке на единицу длины), так и стехиометрический состав плёнок.
|
