Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.227.247.17
    [SESS_TIME] => 1611750702
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 9a4a201261412dc6d00e8dc6d037e30b
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 1010218e0a5b4e34ed378dd83f6f8a96
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

АНАЛИЗ СВЧ–ПОТЕРЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ pin–ДИОДАХ AlGaAs/GaAs

А.К. Шестаков, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
shestakov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: pin-диод, СВЧ, вносимые потери
Страницы: 74-81
Подраздел: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ

Аннотация

С помощью численного моделирования исследована зависимость величины вносимых СВЧ–потерь от параметров структуры гетеростуктурного pin–диода. Определены механизмы возникновения этих потерь и выявлен механизм, оказывающий на потери наибольшее влияние.