Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.215.185.97
    [SESS_TIME] => 1611293771
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => d03290e2345d1c71597b3866910b939d
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 80cc7f28bf5ab633f20f7b50dbc59776
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

МЕЗОСКОПИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge В Si ДЛЯ ОДНОФОТОННЫХ ДЕТЕКТОРОВ

Н.П. Степина1, В.В. Вальковский1, А.В. Двуреченский1, А.И. Никифоров1, M. Juergen2, G. Detlev2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, Россия, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
Stepina@isp.nsc.ru
2Peter Grünberg Institute (PGI 9), Forschungszentrum Jülich GmbH, Jülich-Aachen Research Alliance (JARA), 52425 Jülich, Germany
j.moers@fz-julich.de
Ключевые слова: прыжковая проводимость, квантовые точки, фотодетекторы, кремний, германий
Страницы: 62-67
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФОТОННЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация

Представлены результаты исследования фотостимулированных переключений тока при облучении мезоскопических структур на основе квантовых точек Ge в Si слабыми потоками инфракрасного света. Малые размеры канала (порядка 70-200 нм) дают возможность наблюдать гигантские флуктуации фотопроводимости, которые обусловлены сильной зависимостью прыжкового тока от заполнения квантовых точек носителями заряда. Замена кремниевой подложки кремнием-на-изоляторе позволила исключить преобладание зонной проводимости над прыжковой при высоких температурах и повысить температуру фотодетектирования от 4,2 приблизительно до 100 K. Полученные результаты являются основанием для создания детектора одиночных фотонов в широком диапазоне длин волн.