Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.215.185.97
    [SESS_TIME] => 1611294018
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 303b936f9154beba317825083e2e5c8a
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 7c74dfda8ff262a4e3522d65baad93f5
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

АТОМНАЯ СТРУКТУРА ПРОТЯЖЁННЫХ ДЕФЕКТОВ В ИМПЛАНТИРОВАННЫХ БОРОМ СЛОЯХ КРЕМНИЯ

Л.И. Федина1, А.К. Гутаковский1, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
fedina@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
latyshev@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: имплантация бора, протяжённые дефекты, дефицит вакансий, ВРЭМ
Страницы: 34-40
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация

С помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и компьютерного моделирования детально исследована структура протяжённых дефектов в Si, возникающих после имплантации бора и отжига при T = 900 ºС в зависимости от дозы имплантации (D) и концентрации узлового бора B0(CB0), введённого в Si до имплантации. Показано, что при D = 1016 см-2 вплоть до CB0 = 0,8 · 1020 см-3 наблюдаются дислокационные петли Франка междоузельного (I) и вакансионного (V) типов в соотношении 4 : 1. Атомная структура петель Франка I-типа сильно деформирована, что указывает на накопление бора в плоскости дефекта в мелкодисперсной форме. В плос-кости петель Франка V -типа отмечается появление реконструкции связей, обусловленной встраиванием собственных междоузельных атомов. При CB0 = 2,5 · 1020 см-3 петли Франка I-типа трансформируются в полные дислокации и возникают преципитаты бора с большой плотностью. На основе представленного анализа обсуждаются причины возникновения дефицита вакансий в имплантированных слоях.