Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.215.185.97
    [SESS_TIME] => 1611298229
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 7f810bb647b3b84dd1f7e6b325f9c3b1
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => ff4904b737de43623d4b199c61c3af9c
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

ДИСЛОКАЦИИ В ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ НА ПОДЛОЖКАХ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ И КРЕМНИЯ

Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, А.В. Колесников
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
sidorov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: гетероэпитаксиальные структуры CdTe/ZnTe/GaAs(301) и CdTe/ZnTe/Si(301), механизм зарождения, дислокации, молекулярно-лучевая эпитаксия
Страницы: 25-33
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация

Эллипсометрическим исследованием in situ установлены различные механизмы начальных стадий выращивания ZnTe на подложках GaAs(301) и Si(301) методом молекулярно-лучевой эпитаксии: на подложках GaAs(301) рост с самого начала происходит послойно, тогда как на подложках Si(301) начинается с формирования трёхмерных зародышей. Согласно расчётам дислокации несоответствия (ДН) вводятся в плёнку ZnTe на стадии формирования первых монослоёв. В результате введения ДН решётка плёнки разворачивается относительно решётки подложки, что подтверждается рентгеновскими измерениями. Прорастающие участки ДН в гетероструктурах CdTe/ZnTe/GaAs(301) и CdTe/ZnTe/Si(301) исследованы с помощью селективного травления. Установлено, что дислокационные ямки травления имеют различную форму, что указывает на существование различных типов прорастающих дислокаций. При послойном травлении наблюдалось увеличение плотности дислокаций вглубь плёнки CdTe, что свидетельствует об аннигиляции дислокаций в процессе роста плёнок CdTe. Скорость аннигиляции выше в плёнках, выращенных на GaAs(301), чем на Si(301). Возможно, это связано с более высокой подвижностью дислокаций в плёнках CdTe на подложках GaAs(301).