Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.215.185.97
    [SESS_TIME] => 1611294245
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => b7ada6cb867fc4dec458cb3ec15b4aae
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 0581d827f916177e13332e522193a2ad
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ ПЛЁНОК AIIIBV НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001)

Е.А. Емельянов1, Д.Ф. Феклин1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1, А.К. Гутаковский1, В.А. Селезнев1, А.П. Василенко1, Д.С. Абрамкин1, О.П. Пчеляков1, В.В. Преображенский1, N. Zhicuan2, N. Haiqiao2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, Россия, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
e2a@nsc.ru
2Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, 100083, N A35, QingHua East Road, Haidian District, Beijing, China
zcniu@semi.ac.cn
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaAs, Si
Страницы: 13-24
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены плёнки GaAs на подложках Si, отклонённых от плоскости (001) на 6º в направлении [110]. Плёнки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Условиями формирования подслоя As и первого монослоя GaP на поверхности Si задавалась ориентация плёнок GaAs (001) или (00¯1). Процессы подготовки поверхности подложки Si, формирования подслоя As, эпитаксиальных слоёв GaP и GaAs контролировались методом дифракции быстрых электронов на отражение. Проведены исследования выращенных структур методами рентгеновской дифрактометрии, атомно-силовой микроскопии, высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и низкотемпературной фотолюминесценции. Показано, что от ориентации эпитаксиальной плёнки зависит как характер рельефа её поверхности, так и её кристаллические свойства. Получена интенсивная фотолюминесценция от структуры с квантовыми ямами In0,17Ga0,83As, выращенной на буферном слое GaAs/Si.