Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.215.185.97
    [SESS_TIME] => 1611298340
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 8b3df5173020da0637fddbd13a13f0d0
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 4c017f84c20f993b097368256ad55db9
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

ФОРМИРОВАНИЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР Ge/Si И Ge/ GexSi1 - x/Si МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, С.А. Тийс, О.П. Пчеляков
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
nikif@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кремний, германий, твёрдый раствор, плёнки, квантовые точки, реконструкция, дифракция быстрых электронов, энергия активации, hut-островки, dome-островки
Страницы: 5-12
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация

Методами дифракции быстрых электронов и сканирующей электронной микроскопии построена кинетическая диаграмма роста Ge на Si. Определены энергии активации морфологических переходов от двумерного к трёхмерному росту и от hut-кластеров к островкам dome-типа. Кривая, соответствующая 2D–3D-переходу, имеет два участка, подчиняющиеся закону Аррениуса и относящиеся к различным механизмам двумерного роста: двумерно-островковому в области температур 300-525 ºС с энергией активации –0,11 эВ и движению ступеней в диапазоне 525–700 ºС с энергией активации 0,15 эВ. Наблюдались также переходы от hut-островков к dome-островкам. Кривая, построенная для перехода hut-dome, аппроксимируется двумя экспонентами, которые подчиняются закону Аррениуса. В области температур 350-550 ºС энергия активации перехода hut-dome равна 0,11 эВ, а в диапазоне 550-700 ºС энергия активации 0,24 эВ. Максимальная плотность островков при росте Ge на слое Gex Si1 - x достигает 4 · 1011 см-2. Увеличение состава приводит к повышению плотности островков Ge вследствие уменьшения длины миграции адатомов Ge по поверхности GexSi1 - x в сравнении с ростом Ge на Si. Периодичность N, проявляющаяся в сверхструктуре (2 · N ), при реконструкции понижается с 14 до 8 с увеличением содержания Ge в слое Gex Si1 - x . Рост толщины или температуры приводит к уменьшению периодичности и свидетельствует в пользу сегрегации Ge, при этом происходит релаксация напряжений, которая снижает коэффициент диффузии Ge.