Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 35.153.106.141
    [SESS_TIME] => 1711712608
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 5c9785fab677e259d9f01df50686367d
    [UNIQUE_KEY] => 681600368f82283fe62eb0652518118a
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2014 год, номер 3

ТОЧЕЧНЫЕ ЗАРЯДЫ И АТОМНЫЕ МУЛЬТИПОЛЬНЫЕ МОМЕНТЫ Si И O В АМОРФНОМ SiO2 ДЛЯ ОЦЕНКИ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ И ПОТЕНЦИАЛА

А.В. Ларин1,2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Воробьевы горы
nasgo@yandex.ru
2OOO Плазмоника, корпус "Урал", центр "Сколково", 109382 Москва, ул.Нижние Поля, д.29, стр.1, помещение 1, к. 2
Ключевые слова: аморфный, оксид, атомный мультипольный момент, электростатический потенциал
Страницы: 428-438
Подраздел: ТЕОРИЯ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ И ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ

Аннотация

Для оценки атомных мультипольных моментов (АММ) и зарядов в модели аморфной SiO2 использовали гибридный B3LYP функционал с 30 % в обменной части от хартри-фоковского гамильтониана с базисом 88-31G*(Si)/8-411G*(O) и пакет CRYSTAL06. В качестве модели была выбрана 192-атомная элементарная ячейка аморфной SiO2, расчеты с которой приводят к удовлетворительному соответствию с экспериментальным статическим фактором рассеяния нейтронов. Вторая оптимизированная модель аморфного SiO2 (a-SiO2) с меньшим числом дефектов была приготовлена с помощью пакета VASP и полной оптимизации начальной модели a-SiO2. Для обеих моделей рассчитаны атомные заряды и АММ (до четвертого порядка включительно), выполнена их аппроксимация, качество которой сравнивается между собой для данных моделей и с таковой для кристаллических систем, АММ которых рассчитаны ранее. Делаются выводы относительно применимости оценок зарядов и АММ в рамках подходов типа погруженного кластера.