Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.236.13.53
    [SESS_TIME] => 1632190631
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 45e9e7891fd77eaabdeb3d8e57814c2b
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 8b6e127f44d79987d69d99cf8a9ad9e4
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 1

ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОПТИМИЗИРОВАННОГО МЕТОДА КОНТУРНОЙ МАСКИ К ОШИБКАМ ПРОЦЕССА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДОЭ С КУСОЧНО-НЕПРЕРЫВНЫМ РЕЛЬЕФОМ

В.П. Корольков
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Коптюга, 1
victork@iae.nsk.su
Ключевые слова: метод оптимизированной контурной маски, дифракционные оптические элементы, кусочно-непрерывный рельеф, дифракционная эффективность
Страницы: 9-19
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Аннотация

Рассмотрено влияние ошибок технологического процесса, использующего оптимизированный метод контурной маски при изготовлении ДОЭ с кусочно-непрерывным рельефом, на уменьшение обратных скатов зон и повышение дифракционной эффективности элементов. Допуски на отклонения технологических параметров, необходимые для реализации метода, находятся в рамках параметров стандартных технологических процессов и оборудования микроэлектронного производства. Предложенный метод может быть полезен для лазерных записывающих систем и проекционной литографии, формирующих рельеф в фоторезисте с обратным скатом шириной более 1 мкм, так как позволяет существенно улучшить качество изготавливаемых дифракционных структур.