Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.237.27.159
    [SESS_TIME] => 1664646816
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => ea4a2a091f8fd8616a2817b488b81293
    [UNIQUE_KEY] => 9cb886b8df67ffeac4380d72f2b5822d
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2013 год, номер 5

ДВУМЕРНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ДЕФОРМАЦИИ В УПРУГОАНИЗОТРОПНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

А.В. Ненашев1,2, А.А. Кошкарев2, А.В. Двуреченский1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
nenashev@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
a.a.koshkarev@gmail.com
Ключевые слова: гетероструктуры, квантовые проволоки, упругая деформация, анизотропия
Страницы: 25-36
Подраздел: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА, ПОЛЕЙ ДЕФОРМАЦИИ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация

Рассматривается двумерное распределение упругой деформации в полупроводниковых гетероструктурах – квантовых проволоках, характеризующихся анизотропией упругих свойств. Причиной возникновения деформации является несовпадение параметров решёток материала квантовой проволоки и окружающей его среды (матрицы). Такие деформации влияют на положение энергетических зон, поэтому их учёт необходим при расчёте электронных состояний. Показано, что распределение деформации в анизотропной среде является линейной комбинацией двух аналогичных распределений, относящихся к «растянутым» в поперечных направлениях модификациям исходной квантовой проволоки.