Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 100.25.42.211
    [SESS_TIME] => 1664369704
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => ba61ea20d121afcbe1f39873a2aff4e1
    [UNIQUE_KEY] => 9cafa48e1075df8b25ee23afe675828b
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2013 год, номер 5

ФОРМИРОВАНИЕ УПОРЯДОЧЕННЫХ ГРУПП КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ПРИ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ Ge/Si

В.А. Зиновьев1, А.В. Двуреченский1, П.А. Кучинская1, В.А. Армбристер1, А.В. Мудрый2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
zinoviev@isp.nsc.ru
2ГНПО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению», 220072, г. Минск, ул. П. Бровки, 19
mudryi@ifttp.bas-net.by
Ключевые слова: наноструктуры, гетероэпитаксия, квантовые точки, пространственное упорядочение
Страницы: 6-12
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация

Развит новый подход к созданию упорядоченных в кольца наноостровков Ge при эпитаксии на поверхности гетерофазной структуры, представляющей собой подложку Si(100) с предварительно созданными на ней затравками в виде нанодисков SiGe или наноколец SiGe. Показано, что пространственная конфигурация островков в группе обусловлена зарождением островков в области локальных минимумов плотности упругой энергии на поверхности круговой затравки. На основе предложенного подхода выращены многослойные структуры с вертикально совмещёнными кольцевыми группами квантовых точек. Проведено исследование элементного состава и люминесцентных свойств упорядоченных структур.