Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.227.235.216
    [SESS_TIME] => 1632693513
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 346912aa4bab072702bc1dbdfacf2c4f
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => ddc6b23710ff35e48a7507f55e5e7ac6
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2011 год, номер 4

ФОРМИРОВАНИЕ ТУГОПЛАВКИХ ПОКРЫТИЙ ИЗ ЛЕТУЧИХ HF-СОДЕРЖАЩИХ ПРЕКУРСОРОВ НА УГЛЕРОДНЫХ ВОЛОКНАХ

Н. Б. Морозова1, Н. В. Гельфонд1, С. В. Сысоев1, Н. И. Бакланова2, Н. З. Ляхов2
1 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН
mor@niic.nsc.ru
Ключевые слова: модифицирование поверхности УВ, MOCVD процессы, летучие ?-дикетонаты гафния(IV)
Страницы: 787-791

Аннотация

Исследована возможность модифицирования поверхности углеродных волокон тугоплавкими соединениями гафния методом химического осаждения из паров его летучих металлоорганических соединений. Методом термодинамического моделирования рассчитана CVD диаграмма системы Hf-C-O-F-H в интервале температур 25-1200 °C, давлений 10-1-10 Торр и отношения входной концентрации газа-носителя (H2) и потока паров прекурсора в диапазоне 0-2000. Показано, что процесс осаждения необходимо проводить при максимальном потоке водорода и минимальном общем давлении в системе. Методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) изучены морфологические и топографические особенности покрытий на волокнах. Получены сплошные покрытия, равномерные по длине и диаметру монофиламентов, прочно связанные с ними.