Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.235.175.15
    [SESS_TIME] => 1632430435
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 3442cc1b4c6cd3cdf3083b2206d94f66
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 1053d29ee668ed14308a366e40340a4f
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2011 год, номер 4

СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ДВОЙНЫХ ОКСИДОВ HfO2-Sc2O3

Л. В. Яковкина1, Т. П. Смирнова1, В. О. Борисов1, С. Джонг-хван2, Н. Б. Морозова1, В. Н. Кичай1, А. В. Смирнов1
1 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
2 Отделение информатики и технологии электронных материалов Пай Чай университет
yakovk@niic.nsc.ru
Ключевые слова: тонкие пленки, двойные оксиды, осаждение из газовой фазы
Страницы: 764-768

Аннотация

В работе приводятся результаты исследования химического строения и структуры тонких пленок (HfO2)x(Sc2O3)1-x. Пленки были получены методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) из комплексных соединений 2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептандионат гафния (Hf(thd)4) и 2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептандионат скандия (Sc(thd)3). Методами рентгенофазового анализа (РФА) и инфракрасной (ИК) спектроскопии показано, что в зависимости от содержания скандия в пленках структура их меняется от моноклинной к кубической. Из вольт-емкостных зависимостей тестовых структур Al/(HfO2)x(Sc2O3)1-x/Si была определена диэлектрическая проницаемость пленок. Для пленок кубической структуры k = 21, для пленок моноклинной структуры k = 9.