Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.237.2.4
    [SESS_TIME] => 1632619267
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 7a555091892faed4fc388c7bec62dc9a
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 0e74a96b98613baa46d111e6a62860cc
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2009 год, номер 3

СПЕКТРОСКОПИЯ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И СЕЧЕНИЕ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ В АНАЛИЗЕ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР СИСТЕМЫ Fe-Si

А. С. Паршин1, Г. А. Александрова2, С. Н. Варнаков3, С. Г. Овчинников4
1 Сибирский государственный аэрокосмический университет им. М.Ф. Решетнева, aparshin@sibsau.ru
2 Сибирский государственный аэрокосмический университет им. М.Ф. Решетнева
3 Сибирский государственный аэрокосмический университет им. М.Ф. Решетнева Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
4 Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Ключевые слова: спектроскопия потерь энергии отраженных электронов, сечение неупругого рассеяния, средняя длина неупругого свободного пробега электрона
Страницы: 451-455

Аннотация

В работе представлено исследование формирования интерфейса слоистых структур системы Fe-Si методом спектроскопии потерь энергии отраженных электронов. Количественный элементный анализ осуществлен с использованием произведения средней длины неупругого свободного пробега на сечение неупругого рассеяния электронов. Показано, что интерфейс Fe-Si достаточно однороден.