Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.238.132.225
    [SESS_TIME] => 1631875096
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 913ce76a3b045e39db3df643c9947157
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 53767087b57c7ae9bb759a4d894994fe
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2008 год, номер 3

СРАВНИТЕЛЬНОЕ ИЗУЧЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ПОЛНОЭЛЕКТРОННОГО БАЗИСНОГО НАБОРА И ПСЕВДОПОТЕНЦИАЛА ДЛЯ АТОМА ИОДА В КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИХ РАСЧЕТАХ ИОДСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ МЕТОДОМ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ

А.Г. Юрьева1, О.Х. Полещук2, В.Д. Филимонов3
1 Томский государственный педагогический университет Томский политехнический университет, yurevaanna@gmail.com
2 Томский государственный педагогический университет
3 Томский политехнический университет
Ключевые слова: квантовая химия, DFT B3LYP/dgdzvp и B3LYP/6-311G(d) квантово-химические методы
Страницы: 567-571

Аннотация

Впервые проведено систематическое исследование расчетных возможностей метода функционала плотности B3LYP в полноэлектронном базисе dgdzvp и с учетом псевдопотенциала для соединений иода. Показано, что в целом полноэлектронный базис дает более близкие к экспериментальным значения длин связей X-I и энтальпии реакций иодирования органических соединений при одинаковой адекватности в расчетах ИК колебаний связей X-I в сравнении с использованием псевдопотенциала. Полноэлектронный базис позволяет также адекватно рассчитывать величины констант квадрупольного взаимодействия атомов иода и в целом является более производительным по времени расчетов.