Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.141.31.209
    [SESS_TIME] => 1713543227
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 2e1cffc697ecf03e5a7e04d03f9e1cd6
    [UNIQUE_KEY] => 75ff8c1cc4c0a20fcf377dfff6552211
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2007 год, номер 5

Квантовохимическое моделирование структуры напряженных нанокристаллов кремния

Филиппов В.В., Курганский С.И., переславцева Н.С.
Ключевые слова: нанокристалл, наноструктура, кластер, кремний, электронные свойства, деформация, подложка
Страницы: 1016-1019
Подраздел: КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ

Аннотация

Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на германиевой подложке. Анализируется влияние деформации и подложки на распределение электронных состояний.