Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2012 год, номер 4

СПЕКТРОСКОПИЯ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В СЛОИСТЫХ СИСТЕМАХ SiO2/Si(100)

А. С. Паршин1, С. А. Кущенков1, О. П. Пчеляков2, Ю. Л. Михлин3, Х. Т. Хасанов2
1 Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М. Ф. Решетнева
2 Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
3 Институт химии и химической технологии СО РАН
aparshin@sibsau.ru, stskush@gmail.com, pch@isp.nsc.ru, yumikh@icct.ru, hasanov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: электронная спектроскопия, сечение неупругого рассеяния электронов, длина свободного пробега электрона
Страницы: 88-92

Аннотация

Для слоистых структур SiO2/Si(100) из экспериментальных спектров потерь энергии отражённых электронов при разных энергиях первичных электронов получены спектры сечения неупругого рассеяния электронов - произведение средней длины неупругого рассеяния и его дифференциального сечения. Проведено компьютерное моделирование спектров сечения неупругого рассеяния отражённых электронов для слоистых структур с использованием диэлектрической функции материалов плёнки и подложки. Установлено, что толщина слоя SiO2, определённая при сравнении экспериментальных и модельных спектров, согласуется с результатами эллипсометрических измерений.