Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 54.173.214.227
    [SESS_TIME] => 1643304015
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 5787394c2c6852ce35ba29be9bbdc399
    [UNIQUE_KEY] => 26063bcfa34e17fbe915e757e8b4aa26
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2010 год, номер 6

РАЗРАБОТКА ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ МОЗАИЧНЫХ ФОТОПРИЁМНИКОВ НА ОСНОВЕ ЛИНЕЕК ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

А. Р. Новоселов
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН,
630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13,
novoselov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: мозаичные фотоприёмники, лазерное скрайбирование, фоточувствительные элементы, плёнки CdHgTe p-типа, молекулярно-эпитаксиальный метод, подложки GaAs
Страницы: 106-115

Аннотация

Обоснован выбор режима лазерного скрайбирования, позволяющий изготавливать мозаичные фотоприёмники на основе плёнок CdHgTe p-типа, выращенных молекулярно-эпитаксиальным методом на подложках GaAs, без потери информации в изображении при периоде следования фоточувствительных элементов (диаметром 10 мкм) не менее 46 мкм. Описана методика скрайбирования линейчатых фоточувствительных элементов размерностью 4 × 288 p-n-переходов с периодом их следования 56 мкм, которая предполагает формирование двухуровневой по глубине канавки за несколько проходов. Причём в области p-n-переходов формируется канавка излучением со средней мощностью 1,4 мВт, а вне области - со средней мощностью 2 мВт. При этом канавка имеет переменную глубину: вне области p-n-переходов она составляет 120 мкм при ширине 22 мкм, а внутри области - 26 мкм при ширине канавки 18 мкм. Показано, что влияние лазерного излучения не приводит к ускорению деградации электрических параметров p-n-переходов.