Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.235.139.122
    [SESS_TIME] => 1711675556
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 879f70876ea2ef1762d7fddc11905d92
    [UNIQUE_KEY] => e77b192c6e3f0693346c7c9797b8d767
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2009 год, номер 4

КРЕМНИЕВЫЕ НАНОПРОВОЛОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННЫХ БИОСЕНСОРОВ

О. В. Наумова, Б. И. Фомин, Л. Н. Сафронов, Д. А. Насимов, М. А. Ильницкий, Н. В. Дудченко, С. Ф. Девятова, Э. Д. Жанаев, В. П. Попов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В.Ржанова
naumova@isp.nsc.ru, fomin@thermo.isp.nsc.ru, safronov@isp.nsc.ru, nasimov@thermo.isp.nsc.ru, ilnitsky@isp.nsc.ru, dudchenko@isp.nsc.ru, dev@thermo.isp.nsc.ru, erdem@isp.nsc.ru, popov@isp.nsc.ru, latyshev@thermo.isp.nsc.ru, aseeev@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремний-на-изоляторе, нанопроволоки, белки, бычий сывороточный альбумин
Страницы: 6-11

Аннотация

Разработан метод наноструктурирования слоев кремний-на-изоляторе (КНИ) на основе газового травления в XeF2 или SF6:CFCl3 для формирования КНИ-нанопроволочных структур. На его основе изготовлены и исследованы характеристики КНИ-нанопроволочных транзисторов (КНИ НПТ) с открытыми каналами, используемыми в качестве сенсорных элементов электронных детекторов. Показано, что предложенный способ изготовления нанопроволок не требует проведения высокотемпературных операций для удаления дефектов после наноструктурирования слоев КНИ, чувствительность КНИ НПТ к тестовым молекулам белка BSA (Bovine Serum Albumin) составляет 10-15 моль/л, что в настоящее время является одним из лучших показателей для нанопроволочных биосенсоров.