Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.221.159.255
    [SESS_TIME] => 1610969781
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => aa3d58c1c99df7725ff4c37abd27b04e
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 234a98e37b76fd3714f520895415e7bc
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2008 год, номер 5

ИЗМЕРЕНИЕ ДИАМЕТРА МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ В ПРОЦЕССЕ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ ИЗ РАСПЛАВА

В. И. Козик1, К. С. Нежевенко2
1 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск, kozik@iae.nsk.su
2 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск, nejevenko@iae.nsk.su
Страницы: 12-23

Аннотация

Исследуется проблема контроля диаметров кристаллов при их выращивании по методу Чохральского. Анализируется изображение зоны мениска, в которой происходит кристаллизация. Определяются информативные параметры для нахождения диаметров кристаллов. Описывается алгоритм вычисления диаметра мениска, применяемого для регулирования процесса роста кристалла. Приводятся результаты работы датчика, использующего предложенный алгоритм, при выращивании реальных кристаллов.