ВЫРАЩИВАНИЕ КВАНТОВЫХ ЯМ HgTe/Cd0,735Hg0,265Te МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
С. А. Дворецкий1, Д. Г. Икусов1, Д. Х. Квон1, Н. Н. Михайлов1, Н. Дай2, Р. Н. Смирнов1, Ю. Г. Сидоров1, В. А. Швец1
1Институт физики полупроводников СО РАН им А. В. Ржанова, г. Новосибирск, Россия
E-mail: mikhailov@isp.nsc.ru
2Шанхайский институт технической физики, г. Шанхай, Китай
Страницы: 104-111
Аннотация
Выращены наноструктуры HgTe/Cd0,735Hg0,265Te с квантовыми ямами HgTe толщиной 16,2 и 21,0 нм без дополнительного легирования на подложках (013)CdTe/ZnTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Контроль составов, толщин широкозонного слоя и квантовой ямы проводилисz с помощью эллипсометрической методики в процессе роста. Точность определения состава Dx ≈ ±0,002 молярных долей теллурида кадмия, толщин широкозонных слоев и квантовой ямы Dd ≈ 0,5 нм. Центральные части широкозонных слоев толщиной ≈10 нм были дополнительно легированы индием до объемной концентрации носителей заряда ~1015 см-3. Гальваномагнитные исследования в широком диапазоне магнитных полей при температурах жидкого гелия показали, что наблюдаются уровни размерного квантования и наличие двумерного электронного газа в выращенных наноструктурах. Получены высокие подвижности двумерного электронного газа me, равные 2 • 105 и 5 • 105 см2/В • с, для плотности электронов Ns, равных 1,5 • 1011 и 3,5 • 1011 см-2, соответственно.
|
