Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 100.24.12.23
    [SESS_TIME] => 1711716697
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 39c6fc95abdaef690ec0dba9e2c8f812
    [UNIQUE_KEY] => 8d9f1aa710df7b01e3c0c321c7d61574
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2007 год, номер 4

ОСОБЕННОСТИ АДМИТТАНСА МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СЛОЕВ КРТ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

А. В. Ярцев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
E-mail: jartsev@ngs.ru
Страницы: 83-88

Аннотация

Исследован адмиттанс структур металл- диэлектрик- полупроводник на основе слоев Hg1–xCdxTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из полуизолирующего GaAs. Обнаружен эффект аномальной генерации на поверхности Hg1–xCdxTe в сильном электрическом поле (≈105 В/см). Показано, что плотность поверхностных состояний границы раздела МЛЭ КРТ–SiO2 слабо зависит от наличия варизонного слоя и типа проводимости полупроводника.