Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 34.229.17.20
    [SESS_TIME] => 1711724240
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 56df1a13fdd201772b3b30e4181a8132
    [UNIQUE_KEY] => 62306ebdf83948820e3b820b5016b222
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2004 год, номер 1

ОБРАЗОВАНИЕ ПАР БЛИЗКИХ ДЕФЕКТОВ В АКТИВИРОВАННЫХ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ ПОД ДЕЙСТВИЕМ УФ-СВЕТА ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

И. К. Плявинь, М. Ф. Тринклер
(Рига, Латвия)
Страницы: 107–120
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, ЭЛЕМЕНТЫ И СИСТЕМЫ

Аннотация

Сравнивается действие двух спектральных областей УФ-света с точки зрения физики дефектообразования и практического использования созданных дефектов для регистрации изображения. Создается локальное околоактиваторное возбуждение аниона в одной из областей УФ-света в D2-полосе поглощения. Это возбуждение на конечном этапе преобразования приводит к созданию пар близких дефектов (A2+кi0), где активаторный дырочный центр (A2+) образуется при ионизации активатора (A+), вблизи которого был поглощен D2-квант света. Электронные центры кi0 возникают в процессе, когда инициированные A2+-центрами мелкие ловушки заполняются электронами от упомянутого ионизованного активатора. В другой области УФ-облучения (полосе поглощения 1s экситона) в регулярной решетке рождается экситонное возбуждение, которое в момент образования не связано ни с активатором, ни с активаторным дырочным центром. Однако в результате перемещения и релаксации и это возбуждение создает пары близких дефектов (A2+F) на базе уже имеющихся в кристалле A2+-центров. За создание пар (A2+F) ответственными, вероятно, являются экситонные поляритоны. Пары близких дефектов (A2+кi0), (A2+F) могут быть использованы для обработки изображений методом фотостимулированной люминесценции, каждый тип пар дает отличающиеся характеристики.