Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.230.173.188
    [SESS_TIME] => 1718970846
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => a96d608637f4349dcdbefeb992ee917e
    [UNIQUE_KEY] => 9eac1b65960cc8df2b6c65628f0254a2
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Теплофизика и аэромеханика

2003 год, номер 2

Использование метода стохастического аналога для исследования флуктуационной стадии блистеринга

А.Л. Бондарева, Г.И. Змиевская
Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, Москва
Страницы: 265–276

Аннотация

Образование вакансионно-газовых пор в кристаллической решетке металла исследуется численно методом стохастического аналога, позволяющим представить явление блистеринга случайным марковским процессом. Зародыши газовой фазы образуются в результате накопления частиц плохо растворимых газов в пузырьках-блистерах. Под влиянием дальнодействующего потенциала непрямого взаимодействия незаряженных дефектов между собой и с поверхностью образца (через акустические фононы и фриделевские осцилляции электронной плотности) и диффузии осуществляется броуновское движение блистеров, вызывая стратификацию дефектов по глубине приповерхностного слоя металла. По распределению блистеров по размерам, сформировавшихся в течение флуктуационно-неустойчивой стадии фазового перехода первого рода, оцениваются пористость материала и напряжения в решетке, возникшие в результате блистеринга.