Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.146.152.99
    [SESS_TIME] => 1713435543
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => f09470716df27fed769864c480130e10
    [UNIQUE_KEY] => 8e506b4d3b51acd16ab44b43a52f5743
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика

2004 год, номер 5

Стационарный разряд, поддерживаемый электронной теплопроводностью, при

С. Ф. Гаранин, Д. В. Кармишин
Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики,
607190 Саров; E-mail: sfgar@vniief.ru
Ключевые слова: магнитный поток, Н-отжатый разряд, тепловой поток, ионизованные пары изолятора
Страницы: 32-40

Аннотация

Рассматривается стационарный поверхностный разряд, возникающий при выходе магнитного потока через поверхность изолятора (H-отжатый разряд). При этом считается, что тепловой поток в разряде определяется только электронной теплопроводностью ионизованных паров изолятора и эффектом Нернста. Определены основные параметры разряда и структура токового слоя в случае сильных магнитных полей (больше 0,1 МЭ) для изолятора из оксида алюминия.