Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.227.240.72
    [SESS_TIME] => 1713618926
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 0b1a0d6aadfe9fbcaea54ecb5aaa2ff3
    [UNIQUE_KEY] => 5caa614723e0b07bad2f051f3e118495
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Химия в интересах устойчивого развития

2001 год, номер 7

Силовые диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-n+-GaAs

Н. С. БОЛТОВЕЦ1, Р. В. КОНАКОВА2, В. В. МИЛЕНИН2, Е. Ф. ВЕНГЕР2, Д. И. ВОЙЦИХОВСКИЙ2
1Государственный научно-исследовательский институт "Орион",
ул. Эжена Потье, 8а, Киев 03057 (Украина), Е-mail: bms@i.kiev.ua
2Институт физики полупроводников НАН Украины,
пр. Науки, 45, Киев 03028 (Украина), Е-mail:konakova@eee.semicond.kiev.ua
Страницы: 911-914

Аннотация

Разработана технология изготовления силовых диодов Шоттки Au-TiBx-n-n+-GaAs планарной и мезаструктуры на интегральном теплоотводе. Экспериментально исследовано влияние термического отжига при T = 500 °С в течение 1 ч в атмосфере водорода на барьерные свойства контакта. Показана воз-можность создания термостойкого (до 500 °С) силового диода Шоттки Au-TiBx-n-n+-GaAs с напряжением лавинного пробоя ~200 В.