Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.235.172.123
    [SESS_TIME] => 1713117953
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 4aabbd8dc021038bcb0667de8974d77b
    [UNIQUE_KEY] => 5911c819f556200b915e979a5e29f940
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Химия в интересах устойчивого развития

2001 год, номер 7

Проект биполярно-полевого транзистора (IGBT) 50 A 1800 B,изготовленного на пластинах высокоомного бестигельного кремния с ориентацией (100).

Е. В. ЧЕРНЯВСКИЙ1, В. П. ПОПОВ1, Ю. С. ПАХМУТОВ2, Ю. Н. МИРГОРОДСКИЙ3, Л. Н. САФРОНОВ1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН,
проспект Академика Лаврентьева, 13, Новосибирск 630090 (Россия)
E-mail: evgen@isp.nsc.ru
2ОАО "Ангстрем", Южная промзона, Зеленоград, Москва 103460 (Россия)
3Технологический центр МИЭТ, Зеленоград, Москва 103460 (Россия)
Страницы: 907-910

Аннотация

Предложен проект высоковольтного IGBT-транзистора. Транзистор изготавливается на высокоомной подложке с применением NPT-технологии. Проведено численное моделирование технологии изготовления и статических вольт-амперных характеристик. Показана возможность увеличения рабочего напряжения до 1800 В.