Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.227.240.72
    [SESS_TIME] => 1713623161
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 53a7e1c91f87df764e07b377d7397f50
    [UNIQUE_KEY] => 9df4fa4004821c1ca5211adc3aeadf6f
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Химия в интересах устойчивого развития

2001 год, номер 7

Электрическая характеризация интерфейса в изотипных кремниевых структурах, полученных методом твердофазного сращивания

А. К. ФЕДОТОВ1, А. В. МАЗАНИК1, К. Л. ЕНИШЕРЛОВА2
1Белорусский государственный университет,
проспект Ф. Скорины, 4, Минск 220050 (Беларусь)
Е-mail: fedotov@phys.bsu.unibel.by
2ГУП НПП "Пульсар", Окружной проспект, 27, Москва 105187 (Россия)
Страницы: 885-890

Аннотация

Исследованы свойства интерфейса в изотипных структурах, формировавшихся методом твердофазного сращивания пластин кремния одного типа проводимости, в зависимости от технологии сращивания. Для выявления роли кислорода в электрических свойствах интерфейса проводилось сращивание пластин как покрытых естественным оксидом (толщиной не более 1-2 нм), так и специально окисленных (с толщиной оксида кремния до 20 нм). Исследование бикристаллов, сращенных после соединения на воз-духе или в деионизованной воде, показало, что электрическая активность интерфейса в этом случае определяется главным образом степенью его обогащения кислородом и загрязнением поверхностей сращиваемых пластин акцепторными примесями (предположительно алюминия). Электрическая активность бескислородного интерфейса в структурах, получаемых соединением ионно-травленных пластин и отжигом в вакууме, зависит прежде всего от рассогласования кристаллических решеток сращиваемых пластин. Свойства ТФС-структур с захороненным оксидным слоем, получаемых при сращивании кремниевых пластин n-типа проводимости, определяются загрязнением акцепторной примесью интерфейса сращивания.