Изучение условий выращивания кристаллов CdTe и Cd1–xZnxTe.
П. Г. Криницын, Ю. А. Чульжанов, С. П. Попов*
Институт минералогии и петрографии СО РАН,
пр-т Акад. Коптюга, 3, Новосибирск 630090 (Россия)
*ООО “Высокочистые материалы”, пр-т Акад. Коптюга, 3, Новосибирск 630090 (Россия)
Аннотация
Разработаны методики получения высокочистых исходных веществ для синтеза CdTe и Cd1–xZnxTe – материалов, используемых в спектрометрии рентгеновского и гамма-излучения. Отмечена зависимость кристаллического совершенства слитков CdTe и Cd1–xZnxTe от условий кристаллизации. Установлено, что по таким характеристикам, как энергетическое разрешение, полуширина кривой дифракционного отражения, размеры и концентрация включений теллура, пропускание в дальней ИК-области и другие, полученные нами кристаллы соответствуют лучшим образцам Cd1–xZnxTe и CdTe, синтезированным в настоящее время.
|
