ВЕРТИКАЛЬНЫЕ PIN-ФОТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ge/Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
И.Б. Чистохин1, К.Б. Фрицлер1, М.С. Аксенов1, А.С. Дерябин1, Л.В. Соколов1, И.Д. Лошкарев1, А.В. Колесников1, А.И. Никифоров1, В.Ю. Абросимов2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
ichist1@yandex.ru
2АО «Зеленоградский нанотехнологический центр», Зеленоград, Россия
abrosimov@zntc.ru
Ключевые слова: PIN-меза-фотодиоды, гетероструктуры Ge/Si, планарная технология
Страницы: 134-141
Аннотация
Изготовлены и охарактеризованы вертикальные PIN-меза-фотодетекторы на основе гетероструктур Ge/Si для диапазона длин волн 1310-1550 нм. Нелегированные и легированные слои Ge выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на Si (100) сильнолегированных подложках p-типа. Уровень легирования Sb в n+-области и диффузионное распределение Si в Ge определялись методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Величина плотности пронизывающих дислокаций снижена до 2 · 107 см-2 вследствие использования двухстадийного выращивания Ge и последующего термического отжига. По данным рентгеновской дифрактометрии, остаточная растягивающая деформация эпитаксиального слоя Ge после отжига составила +0,11 %. При обратном напряжении 1-2 В фотодетекторы показали высокую чувствительность на длине волны 1310 нм (0,5 A/Вт с толщиной 1,5 мкм) при умеренной плотности темнового тока (1-2 · 10-2 A/см2). Эти результаты перспективны для эффективной технологии создания фотонных интегральных схем на кремнии.
DOI: 10.15372/AUT20260514 |
