Главная – Журналы – Автометрия 2026 номер 4

Изучено формирование ловушек зарядов в плёнках SiO₂, имплантированных ионами In⁺ и As⁺, в процессе последующего отжига при T = 800-1100 °C. Обнаружено, что с ростом температуры отжига смещение в напряжении плоских зон происходит немонотонно и максимально после T = 900 °C. При этом гистерезис высокочастотных С-V-характеристик минимален, а с ростом температуры отжига до 1000-1100 °C окно гистерезиса возрастает на порядок величины. Из полученных С-V-характеристик оценены плотность фиксированного заряда и плотность перезаряжаемых ловушек носителей зарядов в окисле. Из частотной зависимости С-V- и G-V-характеристик оценена плотность поверхностных состояний, которая практически не зависела от температуры отжига и составляла около 2×10¹¹ см^-2 × эВ^-1. Природа встроенного заряда в диэлектрике связывается с кислородными вакансиями In-As в матрице SiO₂. Увеличение гистерезиса C-V-характеристик с ростом температуры отжига объясняется изменением спектра глубоких ловушек.