Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Геология и геофизика

2026 год, номер 7

СПЕКТРОСКОПИЯ И ПРОСВЕЧИВАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ КРИСТАЛЛА АЛМАЗА С Y-ЦЕНТРАМИ

А.А. Ширяев1, Е.А. Васильев2, А.Л. Васильев3,4, В.В. Артемов3, Н.В. Губанов5, Д.А. Зедгенизов5
1Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
shiryaev@phyche.ас.ru
2Санкт-Петербургский горный университет императрицы Екатерины II, Санкт-Петербург, Россия
3Отделение «Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова» Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ «Курчатовский институт», Москва, Россия
4Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Россия
5Институт геологии и геохимии им. академика А.Н. Заварицкого УрО РАН, Екатеринбург, Россия
Ключевые слова: Алмаз, спектроскопия, Y-центр, просвечивающая электронная микроскопия
Страницы: 967-978

Аннотация

В работе представлены результаты исследования содержащего Y-центры алмаза типа Ib-IaA из кимберлитовой тр. Юбилейная. Анализ пространственного распределения азотных А- и С-дефектов и интенсивности инфракрасного поглощения на рамановской частоте (1332 см-1) выявил антикорреляцию между этими центрами. С помощью просвечивающей электронной микроскопии в области кристалла с высокой концентрацией Y-центров обнаружены дислокации в различных конфигурациях и многочисленные кластеры точечных дефектов, связанных с неконсервативным движением дислокаций. Обнаружены протяженные дефекты, форма которых может быть описана как тонкие (1-3 нм) ромбические пластины, с размерами до 5-20 нм в наибольшем измерении. Анализ контраста изображений показывает, что данные объекты представляют собой наноразмерные полости (вакансионные кластеры). Предложены модели образования этих дефектов в ходе аннигиляции дислокационных диполей с последующим ростом за счет вакансий, возникших вследствие неконсервативного движения дислокаций. При возбуждении лазером 787 нм в спектрах фотолюминесценции в области 800-900 нм регистрируются множество узких линий, их амплитуда и положение максимумов характеризуются ярко выраженной пространственной неоднородностью на масштабе единиц микрон. Качественно сходное изменение люминесцентных характеристик (blinking) ранее отмечалось для наноалмазов с наводороженными поверхностями. Предположительно, необычное поведение люминесцентных линий в исследованном кристалле может объясняться рекомбинационными процессами на поверхности обнаруженных нанополостей.

DOI: 10.15372/GiG2025199
EDN: BQSQYH
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину