Главная – Журналы – Автометрия 2026 номер 3

Данная работа посвящена поиску условий устойчивого однонаправленного роста планарных нанопроволок GaAs на подложках Si(111) с помощью моделирования методом Монте-Карло. Исследовалось влияние температуры на устойчивость роста планарных нанопроволок GaAs на структурированной поверхности в виде траншей. Продемонстрировано влияние геометрии фронта роста планарных нанопроволок на вероятность устойчивого роста и перехода от планарного роста к наклонному в траншеях, ориентированных вдоль направлений [211 ] и [011 ]. Проанализирована кинетика роста планарных и непланарных нанопроволок GaAs в зависимости от температуры. Выявлено повышение вероятности стабильного роста планарных нанопроволок с увеличением температуры. Моделирование показало, что причиной срыва с планарного роста на непланарный для любой ориентации траншей является смачивание верхней части планарной нанопроволоки, параллельной поверхности подложки, каплей галлия.